MMUN2211LT1G


Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23

MMUN2211LT1G (заказ)
MMUN2211LT1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
MMUN2211LT1G (ON SEMICONDUCTOR.) 8 454 3-4 недели
Цена по запросу


Технические характеристики MMUN2211LT1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max246mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
Product Change NotificationWire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru