BSS169

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSS169		35.40
BSS169 (SUNTAN)	1 406	4.32

Версия для печати

Технические характеристики BSS169

Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.8nC @ 7V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	68pF @ 25V
Power - Max	360mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.