Версия для печати
Технические характеристики AD73360ARZ

Корпус	28-SOIC W
Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Напряжение - цифровое	3V
Напряжение - аналоговое	3V
Мощность (Ватт)	80mW
Бит	16
Количество каналов	6
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Преобразование данных (DAQ)

 » 

Аналоговые интерфейсы (Analog Front-Ends)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		70 256	1.82  >100 шт.   0.91
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	8.59
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 196	2.63
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	29 606	1.49
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	38	5.74
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	228	2.80
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	228 034	1.16  >100 шт.   0.58
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	2 260 160	1.58  >100 шт.   0.79
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	5	1.56
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	916 393	1.78  >100 шт.   0.89
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KEEN SIDE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	3611
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	611
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	RUME	350 480	1.50  >500 шт.   0.50
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		INA169NA/250		ИМС датчика тока			321.20
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока			321.20
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMEN
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	4-7 НЕДЕЛЬ	223
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220		1	405.72
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NSC
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	США
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS INSTRUMENTS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	HGSEMI	413	40.21
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	4-7 НЕДЕЛЬ	275
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA	1 912	148.38
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220		192	168.00
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MUR	3 627	49.52
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"