DTDG14GPT100
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-243AA |
| Корпус | MPT3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
