PDTC114EU,115

TRANS NPN 50V 100MA SOT323

Версия для печати

Технические характеристики PDTC114EU,115

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTC114EU,115 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2П304А			1	259.00
2П304А		СВЕТЛАНА	27	315.00
2П304А		СВЕТЛАНА-ПОЛУПРОВОДНИКИ
2П304А		RUS
GRM32ER61E226KE15L	Конденсатор керам SMD, Типоразм. 1210, Тип сер. X5R, с =22 uF, Uном,В =25, =10%	MURATA
GRM32ER61E226KE15L	Конденсатор керам SMD, Типоразм. 1210, Тип сер. X5R, с =22 uF, Uном,В =25, =10%		8	384.00
GRM32ER61E226KE15L	Конденсатор керам SMD, Типоразм. 1210, Тип сер. X5R, с =22 uF, Uном,В =25, =10%	MURATA	58 285
GRM32ER61E226KE15L	Конденсатор керам SMD, Типоразм. 1210, Тип сер. X5R, с =22 uF, Uном,В =25, =10%	Murata Electronics North America
GRM32ER61E226KE15L	Конденсатор керам SMD, Типоразм. 1210, Тип сер. X5R, с =22 uF, Uном,В =25, =10%	MUR	89 248	10.58
GRM32ER61E226KE15L	Конденсатор керам SMD, Типоразм. 1210, Тип сер. X5R, с =22 uF, Uном,В =25, =10%	MURA
MJ-O-4.5 (DS1027-2A)		КИТАЙ
MJ-O-4.5 (DS1027-2A)		CONNFLY
TPS76318DBVR		TEXAS INSTRUMENTS	1 112	64.06
TPS76318DBVR			832	40.85
TPS76318DBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TPS76318DBVR		TEXAS
TPS76318DBVR		4-7 НЕДЕЛЬ	182
TPS76325DBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TPS76325DBVR			2 380	43.32
TPS76325DBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TPS76325DBVR		TEXAS
TPS76325DBVR		4-7 НЕДЕЛЬ	428