UNR5119G0L


UNR5119G0L (заказ)
UNR5119G0L TRANS PNP W/RES 30HFE SMINI TRANS PNP W/RES 30HFE SMINI

Технические характеристики UNR5119G0L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)1K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition80MHz
Power - Max150mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-85
КорпусSMini3-F2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru