Версия для печати
Технические характеристики 2N5401BU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	400MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Product Change Notification	Fe Wire Change 12/Oct/2007

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	16 065	5.90
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	534	3.84
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		12 888	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	55	1.28  >100 шт.   0.64
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.11
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	3 998	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME
		AMC1117-1.8SKFT			ADD MICROTECH CORPORATION
		AMC1117-1.8SKFT			ADD MICROTECH CORPORATION
		LM2576S-5.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576S-5.0				295	42.46
		LM2576S-5.0			NSC	4	300.61
		LM2576S-5.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576S-5.0			КИТАЙ
		LM2576S-5.0			ТАИЛАНД
		LM2576S-5.0			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2576S-5.0			TEXAS
		LM2576S-5.0			YOUTAI	1 246	43.04
		LM2576S-5.0			FULIHAO TECH	1 920	39.26
		LM2576S-5.0			UMW-YOUTAI
		LM2576S-5.0			UMW	880	34.10
		LM2576S-5.0			4-7 НЕДЕЛЬ	70
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIR
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FSC
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIRCHILD
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A		2	74.00
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIRCHILD
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	STMicroelectronics
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	Fairchild Semiconductor
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	КИТАЙ
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRONICS	80	89.79
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRO
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	STMICROELECTR
		TIP142T		Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"