MJD112-1G


Купить MJD112-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJD112-1G TRANS DARL NPN 2A 100V STR DPAK TRANS DARL NPN 2A 100V STR DPAK
Версия для печати

Технические характеристики MJD112-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Power - Max1.75W
Frequency - Transition25MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


MJD112-1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход