NSS30101LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NSS30101LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	283	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NSS30101LT1G

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	310mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.