MMBT5962


MMBT5962 (заказ)
MMBT5962

Технические характеристики MMBT5962

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic200mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce600 @ 10mA, 5V
Power - Max350mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru