![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 500mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0.125ВТ 0805 10 ОМ, 5% | ТАЙВАНЬ |
![]() |
![]() |
|||||
BPV11F |
![]() |
Фототранзистор инфракрачный |
![]() |
180.00 | ||||
BPV11F |
![]() |
Фототранзистор инфракрачный | Vishay/Semiconductors |
![]() |
![]() |
|||
BPV11F |
![]() |
Фототранзистор инфракрачный | VISHAY | 3 164 | 78.26 | |||
Д816А |
![]() |
металл | 7 672 | 41.58 | ||||
Д816А |
![]() |
металл | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
![]() |
![]() |
|||
Д816А |
![]() |
металл | НОВОСИБИРСК |
![]() |
![]() |
|||
Д816А |
![]() |
металл | RUS |
![]() |
![]() |
|||
Д816А |
![]() |
металл | НЗПП | 96 | 42.36 | |||
Д816А |
![]() |
металл | НЭВЗ | 80 | 56.83 | |||
Д816А |
![]() |
металл | СЗТП | 44 | 71.82 | |||
Д816А |
![]() |
металл | 7200 |
![]() |
![]() |
|||
Д816А |
![]() |
металл | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
![]() |
![]() |
|||
К10-17-1Б-Н50-0,22 МКФ | 28 | 37.00 | ||||||
МЛТ - 1 ВТ 1.1 МОМ 5% | 704 | 3.36 |
|
Корзина
|