NSS12601CF8T1G
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 830mW |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
