MMBT2369LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBT2369LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 229	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT2369LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 10mA, 350mV
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.