TIP29A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TIP29A (ON SEMICONDUCTOR)	69	73.50

Версия для печати

Технические характеристики TIP29A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 1A, 4V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Product Change Notification	Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
Frequency - Transition	3MHz

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TIP29A

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

TIP29A datasheet
53.67Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			14.40
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 047	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР