BC850B,215

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC850B,215	8	3-4 недели Цена по запросу

TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

Версия для печати

Технические характеристики BC850B,215

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC850B,215 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	NEC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz		11 600	2.33
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	UNKNOWN
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISCSEMI
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	TECH PUB	23 569	2.18
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт			62.64
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISC	81	27.01
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	КИТАЙ
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISCSEMI
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ICS COMPONENTS	152	27.53
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	TECH PUB	1 036	4.94
BAS316,115		NXP
BAS316,115		NXP Semiconductors
BAS316,115		NEX
BAS316,115
BAS316,115		NXP
BAS316,115		NEXPERIA	24 000
BAS316,115		NEXPERIA
BAS316,115		NXP/NEXPERIA	15	7.61
BAS316,115		NEX-NXP
СП3-12А -0.25ВТ 1 МОМ 30%
СП3-12В-0.125 ВТ 470 КОМ 30%