BFP650

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFP650		177.16

Версия для печати

Технические характеристики BFP650

Gain	10.5dB ~ 21.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f)	0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition	37GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	4.5V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	PG-SOT343-4
Корпус (размер)	SC-82A, SOT-343
Тип монтажа	Поверхностный
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	110 @ 80mA, 3V
Power - Max	500mW

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFP650

NPN Silicon Germanium RF Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

BFP650 datasheet
184.63Kb
6стр.