NE58219-A
|
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
|
Версия для печати
Технические характеристики NE58219-A
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Power - Max | 100mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
