AT-32011-TR1G

Версия для печати

Технические характеристики AT-32011-TR1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5.5V
Noise Figure (dB Typ @ f)	1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
Gain	12.5dB ~ 14dB
Power - Max	200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 2mA, 2.7V
Current - Collector (Ic) (Max)	32mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-253-4, TO-253AA
Корпус	SOT-143

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
4020BE (CD4020BE)		TEXAS INSTRUMENTS
4020BE (CD4020BE)
BLM18BD252SN1D				8.00
BLM18BD252SN1D		MURATA	1 514	1.28
BLM18BD252SN1D		MURATA	5 332
BLM18BD252SN1D		Murata Electronics North America
BLM18BD252SN1D		MUR	22	2.10
BLM18BD252SN1D		MURATA*
BLM18BD252SN1D		0.00
BLM18BD252SN1D		965
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	ST MICROELECTRONICS
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс		38	68.04
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMEN
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	HGSEMI	1 896	23.46
CD4011BE	Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	4-7 НЕДЕЛЬ
HSMS-2852
HSMS-2852		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2852
HSMS-2852		AGILENT (HP)
LP2989AIM-3.3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LP2989AIM-3.3			2	580.00
LP2989AIM-3.3		NSC
LP2989AIM-3.3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LP2989AIM-3.3		TEXAS INSTRUMENTS
LP2989AIM-3.3		4-7 НЕДЕЛЬ