2SK3666-3-TB-E
|
JFET N-CH 30V 10MA 3CP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current Drain (Id) - Max | 10mA |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistance - RDS(On) | 200 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 3-CP |
| Корпус | 3-CP |
| Power - Max | 200mW |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
