Версия для печати
Технические характеристики 67503-1020

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Connector Type	USB - mini B, OTG
Number of Contacts	5
Gender	Receptacle
Specifications	USB 2.0
Тип монтажа	Surface Mount, Right Angle, Horizontal
Возможности	Shielded

67503-1020 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

КОММУТАЦИЯ

 » 

РАЗЪЕМЫ

 » 

USB, IEEE-1394 (Firewire), DVI, HDMI

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC4050D		Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C	PHILIPS
		74HC4050D		Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C	NXP
		74HC4050D		Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C		1	27.72
		74HC4050D		Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C	NXP	12
		74HC4050D		Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C	NEX-NXP
		74HC4050D		Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C	1
		74HC4050D		Стандартная логика 6 линий, прямой вход, -5.2/ 5.2мА, 2 ... 6В, - 40 ... +125 C	4-7 НЕДЕЛЬ	602
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		3 364	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	92	16.96
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.99
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	37 251	6.09
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В		60 769	1.28  >100 шт.   0.64
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KINGTRONICS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECH	291 182	1.58  >100 шт.   0.79
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YJ	4 480	2.07
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE (YJ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP/NEXPERIA
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	PHILIPS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KLS	9 003	1.62  >100 шт.   0.81
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECN	5 816	1.27
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	CTK	152	1.58  >100 шт.   0.79
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ONS
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ONSEMICONDUCTOR
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ON SEMICONDUCTO
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	4-7 НЕДЕЛЬ	325
		PVZ3A105, 1 МОМ (3303W-3-105), РЕЗИСТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ			MURATA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"