150МКФ 450В (25X35)
Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 450В
|
|
Версия для печати
| Номинальное напряжение | 450В |
| Емкость | 150 мкФ |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
0805-100 1% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 100Ом, 1%, 0,125Вт | FAITHFUL LINK |
|
|
|
|
|
|
0805-100 1% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 100Ом, 1%, 0,125Вт |
|
1.24 | ||
| 1206 10 ОМ 5% | HKR |
|
|
|||||
| 1206 10 ОМ 5% |
|
|
||||||
| 1206 10 ОМ 5% | FAT |
|
|
|||||
| CRCW080522K1FKEA | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW080522K1FKEA | VISHAY | 53 332 |
|
|||||
| CRCW080522K1FKEA | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND |
|
1 109.60 | ||||||
| HGTG10N120BND | FSC |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | FAIR |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | ONS |
|
|
|||||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
290.60 | |||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
