| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STM32 |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 72MHz |
| Подключения | CAN, I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART, USB |
| Периферия | DMA, Motor Control PWM, PDR, POR, PVD, PWM, Temp Sensor, WDT |
| Число вводов/выводов | 80 |
| Размер программируемой памяти | 512KB (512K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 64K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 16x12b; D/A 2x12b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 100-LQFP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
4 670 068
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
|
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
20 644
|
|
|
|
|
|
PRLL5819.115 |
|
SMD диод Шоттки 40V 1A
|
NXP
|
80
|
22.51
|
|
|
|
|
RC0805FR-07200RL |
|
|
YAGEO
|
371 455
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
|
RC0805FR-07200RL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-07200RL |
|
|
PHYCOMP
|
2 856
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-07200RL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-07200RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
SDR0604-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD, 15%, 350мА
|
BOURNS
|
249
|
38.14
|
|
|
|
|
SDR0604-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD, 15%, 350мА
|
|
|
86.00
|
|
|
|
|
SDR0604-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD, 15%, 350мА
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
|
SDR0604-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD, 15%, 350мА
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SDR0604-221KL |
|
Индуктивность 220мкГн SMD, 15%, 350мА
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
ST MICROELECTRONICS
|
752
|
14.84
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
|
418
|
11.10
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 817
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
YJ
|
8 984
|
6.30
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 600W 5V SMB
|
MERRYELC
|
9 832
|
2.17
|
|
Версия для печати
