IXBN75N170
|
IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
|
Версия для печати
Технические характеристики IXBN75N170
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | BIMOSFET™ |
| Конфигурация | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 145A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 25µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.93nF @ 25V |
| Power - Max | 625W |
| Вход | Standard |
| NTC Thermistor | Нет |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
