APT45M100J
|
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 33A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 45A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 18500pF @ 25V |
| Power - Max | 960W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AD8031AN |
|
Операционный усилитель б/д, Ind | ANALOG DEVICES | 1 | 363.00 | ||
 |
 |
B66387-G-X187 |
|
Ферритовый сердечник Ш-образный 500 кГц, 2200 | EPCOS |
|
|
|
| E65 P-6501 КАРКАС | EPCOS |
|
|
|||||
| E65 P-6501 КАРКАС |
|
138.24 | ||||||
| E65 P-6501 КАРКАС | SHINHOM |
|
|
|||||
| E65 P-6501 КАРКАС | ЛЭПКОС, СПБ |
|
|
|||||
| E65 P-6501 КАРКАС | ЛЭПКОС |
|
|
|||||
| PV32H-10К 20% |
|
Резистор подстроечный | MURATA |
|
|
|||
| PV32H-10К 20% |
|
Резистор подстроечный |
|
59.20 | ||||
| С5-47-40 3,9 КОМ 10% |
|
|
