IXTN200N10L2
|
TRANS MOSFET 100V 178A SOT-227
|
Версия для печати
Технические характеристики IXTN200N10L2
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | Linear L2™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 100A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 178A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V |
| Power - Max | 830W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
