ERJ-S1TJ120U
|
RES ANTI-SULFUR 12 OHM 5% 2512 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | ERJ |
| Сопротивление (Ом) | 12 |
| Мощность (Ватт) | 1W |
| Composition | Thick Film |
| Возможности | Anti-Sulfur |
| Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Size / Dimension | 0.252" L x 0.126" W (6.40mm x 3.20mm) |
| Высота | 0.028" (0.70mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 2512 (6432 Metric) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GP120 |
|
Модуль IGBT 1600V 50A PIM |
|
34 140.00 | ||||
| BSM50GP120 |
|
Модуль IGBT 1600V 50A PIM | INFINEON |
|
|
|||
| HCPL-J312-300E | AVAGO |
|
|
|||||
| HCPL-J312-300E | Avago Technologies US Inc |
|
|
|||||
| HCPL-J312-300E |
|
|
||||||
| HCPL-J312-300E | BROADCOM |
|
|
|||||
| HCPL-J312-300E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 27 |
|
|||||
| MMSZ5V1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ5V1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ5V1T1G |
|
|
||||||
| MMSZ5V1T1G | ONS | 4 294 | 7.11 | |||||
| MMSZ7V5T1G | ONS |
|
|
|||||
| MMSZ7V5T1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MMSZ7V5T1G |
|
|
||||||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | ST MICROELECTRONICS | 5 527 | 15.75 | |||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB |
|
23.04 | ||||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | ST MICROELECTRONICS SEMI | 4 846 |
|
|||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | STMicroelectronics | 32 | 8.34 | |||
| SMBJ18A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 600W 18V SMB | КИТАЙ |
|
|
