SEP8706-003

DIODE IR EMITTING AIGAAS SIDELK

Версия для печати

Технические характеристики SEP8706-003

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SEP8706-003 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	4	26.45
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А			107.60
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	3 872	30.84
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5
ME-GLCD240X128ADAPTERBOARD		MIKROEL
SIM-06A			1 160	11.28
SIM-06A			1 160	11.28
WB-104			40	900.17
WB-104			40	900.17
WJW-60B
WJW-60B
WJW-60B		WISHER
WJW-60B		КИТАЙ	12	227.30