Версия для печати
Технические характеристики TSAL5300

Корпус (размер)	Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Тип монтажа	Выводной
Orientation	Top View
Viewing Angle	44°
Voltage - Forward (Vf) Typ	1.35V
Wavelength	940nm
Radiant Intensity (Ie) Min @ If	30mW/sr @ 100mA
Current - DC Forward (If)	100mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

ИК диоды

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007 (1A 1000V)
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT	133	56.48
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
		ACS108-5SA-TR			ST MICROELECTRONICS
		ACS108-5SA-TR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		ACS108-5SA-TR			STMicroelectronics
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS	944	52.85
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			40.56
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA	17
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	США
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMI/FAIRCH
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ONSEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"