H11A617B3SD


H11A617B3SD (заказ)
H11A617B3SD

Технические характеристики H11A617B3SD

Тип выходаTransistor
Vce Saturation (Max)400mV
Current - DC Forward (If)50mA
Ток выходной / канал50mA
Количество каналов1
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Тип входаDC
Voltage - Isolation5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min)22% @ 1mA
Current Transfer Ratio (Max)125% @ 10mA
Напряжение выходное70V
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)4-SMD
Output TypeTransistor
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru