L4949EP013TR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Топология регулятора | Positive Fixed |
| Напряжение выходное | 5V |
| Напряжение входное | Up to 28V |
| Напряжение - падение (Typ.) | 0.3V @ 100mA |
| Число регуляторов | 1 |
| Ток выходной | 100mA |
| Ток минимальный предел тока | 120mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Корпус | 20-SO-W |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1565 |
|
Si-P, 80V, 3A, 25W, 15MHz | ROHM |
|
|
||
|
|
2SB1565 |
|
Si-P, 80V, 3A, 25W, 15MHz | 1 | 393.12 | |||
|
|
2SB1565 |
|
Si-P, 80V, 3A, 25W, 15MHz | ROHM SEMICONDUCTOR |
|
|
||
| 2SD1651(C) |
|
Биполярный транзистор |
|
86.88 | ||||
| 2SD1651(C) |
|
Биполярный транзистор | SANYO |
|
|
|||
| 2SD1651(C) |
|
Биполярный транзистор | СИНГАПУР |
|
|
|||
 |
L4949E |
|
ИМС СТАБИЛ.направленный 5В 0.1A MDIP8 | ST MICROELECTRONICS | 8 | 136.08 | ||
|
|
L4949E |
|
ИМС СТАБИЛ.направленный 5В 0.1A MDIP8 |
|
72.00 | |||
|
|
L4949E |
|
ИМС СТАБИЛ.направленный 5В 0.1A MDIP8 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 64 |
|
||
|
|
L4949E |
|
ИМС СТАБИЛ.направленный 5В 0.1A MDIP8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 48 |
|
||
| L6205PD |
|
|
||||||
| L6205PD | ST MICROELECTRONICS | 140 | 503.61 | |||||
| L6205PD | ST MICROELECTRONICS SEMI | 8 |
|
|||||
| L6205PD | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6205PD | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| L6205PD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 219 |
|
|||||
 |
|
TDA8947J/N2 |
|
УНЧ 4x14W (22V/4 Ом), Gv=26dB, 2x29W BTL (22V/8 Ом), Gv=32dB | NXP |
|
|
