ST1S06PU33R
|
Версия для печати
| Корпус | 6-DFN (3x3) |
| Корпус (размер) | 6-VDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -30°C ~ 85°C |
| Напряжение входное | 2.7 V ~ 6 V |
| Частота переключения | 1.5MHz |
| Ток выходной | 1.5A |
| Напряжение выходное | 3.3V |
| Число выходов | 1 |
| Synchronous Rectifier | Да |
| Внутренняя коммутация | Да |
| Тип | Step-Down (Buck) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 X7R 100NF | SAMSUNG |
|
|
|||||
| 0805 X7R 100NF |
|
|
||||||
 |
HSMC-C120 |
|
Avago Technologies US Inc |
|
|
|||
|
|
HSMC-C120 |
|
AVAGO |
|
|
|||
|
|
HSMC-C120 |
|
|
27.24 | ||||
|
|
HSMC-C120 |
|
BROADCOM |
|
|
|||
 |
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS | 1 537 | 168.59 | ||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
612 | 169.65 | |||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMICROELECTR |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 516 |
|
||
| STM32F103R6T6A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM32F103R6T6A | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F103R6T6A |
|
420.40 | ||||||
| STM32F103R6T6A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 629 |
|
|||||
 |
|
STM32L-DISCOVERY |
|
Отладочная плата с STM32L на ядре Cortex-M3 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STM32L-DISCOVERY |
|
Отладочная плата с STM32L на ядре Cortex-M3 |
|
3 743.20 | ||
|
|
|
STM32L-DISCOVERY |
|
Отладочная плата с STM32L на ядре Cortex-M3 | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STM32L-DISCOVERY |
|
Отладочная плата с STM32L на ядре Cortex-M3 | ФРАНЦИЯ |
|
|
