|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
5 424
|
1.42
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
10 572
|
1.55
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
44 486
|
2.46
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
18 713
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
28
|
2.23
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 860
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
281
|
4.20
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
5
|
2.34
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
2 328
|
2.21
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.37
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
BOURNS
|
13 872
|
14.16
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
|
|
19.84
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 945
|
16.80
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
13.20
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
6 153
|
17.21
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
4 307
|
16.99
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
739
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
|
|
120.00
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
RUME
|
7 040
|
12.64
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
TRR
|
10 360
|
12.10
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
|
|
708.00
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
249
|
|
|