NCP1217AP65G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Частотный диапозон | 58.5 ~ 71.5kHz |
| Напряжение входное | 10 V ~ 16 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 150°C |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads |
| Корпус | 8-DIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 - 200 ОМ 5% RC1206JR-07200RL (RS-06K201JT) | FENGHUA |
|
|
|||||
| BSM50GP120BOSA1 | INFINEON |
|
|
|||||
| BSM50GP120BOSA1 |
|
|
||||||
 |
 |
FQA11N90 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 11.4A, 300W) | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQA11N90 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 11.4A, 300W) |
|
|
||
|
|
|
FQA11N90 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 11.4A, 300W) | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQA11N90 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 11.4A, 300W) | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQA11N90 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 11.4A, 300W) | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
| KNP200JB-73-0R22 | YAGEO | 11 669 | 3.13 | |||||
| KNP200JB-73-0R22 |
|
|
||||||
| LH1546AEF | VISHAY |
|
|
|||||
| LH1546AEF | 172 | 266.94 |
