SDIN2C1-512M-Q
|
IC INAND FLASH 512MB 169FBGA
|
Версия для печати
Технические характеристики SDIN2C1-512M-Q
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 4G (512M x 8) |
| Скорость | 50MHz |
| Интерфейс подключения | SD/SPI Serial |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 169-FBGA |
| Корпус | 169-BGA (12x16) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
