Версия для печати
Технические характеристики DS1230Y-200IND
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Объем памяти | 256K (32K x 8) |
| Скорость | 200ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 28-DIP Module (600 mil), 28-EDIP |
| Корпус | 28-EDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
