DS1225AB-150

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DS1225AB-150		507.20
DS1225AB-150 (4-7 НЕДЕЛЬ)	238	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики DS1225AB-150

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Объем памяти	64K (8K x 8)
Скорость	150ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	28-DIP Module (600 mil), 28-EDIP
Корпус	28-EDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N3019	Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS
2N3019	Транзистор биполярный малой мощности		4	131.04
2N3019	Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N3019	Транзистор биполярный малой мощности	STMicroelectronics
2N3019	Транзистор биполярный малой мощности	МАЛАЙЗИЯ
2N3019	Транзистор биполярный малой мощности	CDIL
2N3019	Транзистор биполярный малой мощности	1
ADM233LJN	Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C	ANALOG DEVICES
ADM233LJN	Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C			522.08
ADM233LJN	Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C	4-7 НЕДЕЛЬ	334
LM2575D2T-5.0		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2575D2T-5.0				170.16
LM2575D2T-5.0		4-7 НЕДЕЛЬ	796
NE556N		NEC
NE556N		ST MICROELECTRONICS	266	35.91
NE556N				33.68
NE556N		ST MICROELECTRONICS SEMI
NE556N		STMicroelectronics
NE556N		Texas Instruments
NE556N		TEXAS INSTRUMENTS	16
NE556N		КИТАЙ
NE556N		ST MICROELECTR
NE556N		TEXAS
NE556N		ST1
NE556N		ST MICROELECTRO
NE556N		TEXAS INSTRUMEN
NE556N		4-7 НЕДЕЛЬ	309
NE556N		HGSEMI	360	14.64
SCN2681AC1N40			1	317.52
SCN2681AC1N40		4-7 НЕДЕЛЬ	567