NAND512R3A2AZA6E
|
IC FLASH 512MBIT 55VFBGA
|
Версия для печати
Технические характеристики NAND512R3A2AZA6E
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 55-VFBGA |
| Корпус | 55-VFBGA (8x10) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
