IDT70T659S10BF
|
IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA
|
Версия для печати
Технические характеристики IDT70T659S10BF
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Объем памяти | 4M (128K x 36) |
| Скорость | 10ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 208-LFBGA |
| Корпус | 208-CABGA (15x15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
