IDT70V659S12BF
|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Объем памяти | 4M (128K x 36) |
| Скорость | 12ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 208-LFBGA |
| Корпус | 208-CABGA (15x15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru