IDT71V35761YSA200BQ8


IDT71V35761YSA200BQ8 (заказ)
IDT71V35761YSA200BQ8 IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA

Технические характеристики IDT71V35761YSA200BQ8

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Формат памятиRAM
Тип памятиSRAM - Synchronous
Объем памяти4M (128K x 36)
Скорость200MHz
Интерфейс подключенияParallel
Напряжение питания3.135 V ~ 3.465 V
Рабочая температура0°C ~ 70°C
Корпус (размер)165-TBGA
Корпус165-CABGA (13x15)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru