HYB25D512800CE-5
|
IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP
|
Версия для печати
Технические характеристики HYB25D512800CE-5
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | DDR SDRAM |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Скорость | 200MHz |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 66-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Корпус | 66-TSOP II |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
