Версия для печати
Технические характеристики CD4012BE

Корпус	14-PDIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение питания	3 V ~ 18 V
Ток выходной макс., мин.	6.8mA, 6.8mA
Число каналов	2
Число входов	4
Логический тип	NAND Gate
Серия	4000B
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

CD4012B 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages Также в этом файле: CD4012BE Производитель: Texas Instruments //www.ti.com CD4012BE datasheet 521.84Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3006P-1М		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	CHINA
		3006P-1М		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3006P-1М		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный			25.32
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	3	12.60
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		3	41.58
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMICROELECTRONICS
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	МАРОККО
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTR
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRO
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMICROELECTR
		NE555DT		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	62
		TL081CP		1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS	48	42.00
		TL081CP		1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS
		TL081CP		1xOP JFET +-18V 13V/us
		TL081CP		1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTR
		TL081CP		1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMEN
		TL081CP		1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS
		TL081CP		1xOP JFET +-18V 13V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	332
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	DC COMPONENTS	7 050	9.15
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V			18.08
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	КИТАЙ
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	KINGTRONICS
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	KINGTRONIC
		W01M		Диодный мост 1.5A/100V	HOTTECH
		ЧИП 2010 20К 5%			YAGEO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"