|
Инструментальный усилитель, Uпит ±18В; Ку=1...1000 - задается резистором;Полоса Ку=10 562кГц; КОС 80dB; Напряжение шумов 1-10 Гц 0.25µВ; Темп. диапазон -40 to +85;Ток потребления (макс.) 1mA; Uсмещ. 60µВ; корпус SOIC-8. |
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 4.6 V ~ 36 V, ±2.3 V ~ 18 V |
| Ток выходной / канал | 18mA |
| Ток выходной | 900µA |
| Напряжение входного смещения | 60µV |
| Ток - входного смещения | 500pA |
| Полоса пропускания -3Дб | 825kHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 2 V/µs |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | Instrumentation |
| Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W |
|
74.40 | ||
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | КОРЕЯ, НАРОДНО- |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INFINEON |
|
|
|
| TLP621-4GB[F] |
|
Оптрон 4xCh 5kV >50% |
|
164.80 | ||||
| TLP621-4GB[F] |
|
Оптрон 4xCh 5kV >50% | TOSHIBA |
|
|
|||
| TLP621-4GB[F] |
|
Оптрон 4xCh 5kV >50% | TOS |
|
|