Версия для печати
Технические характеристики AD549JHZ

Корпус	TO-99-8
Корпус (размер)	TO-99-8 Metal Can
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал	20mA
Ток выходной	600µA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток - входного смещения	0.15pA
Полоса пропускания	1MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	3 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	General Purpose
Серия	Topgate™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	NXP
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	PHILIPS	80	85.11
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA		1 473	24.81
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	PHILIPS
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	КИТАЙ
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	PHILIPS SEMIC
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	WEEN	1 096	45.42
		BT139-600E		Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA	1
		MR856		Силовой диод 600В, 3А, 300нс	ON SEMICONDUCTOR
		MR856		Силовой диод 600В, 3А, 300нс	ON SEMICONDUCTOR
		MR856		Силовой диод 600В, 3А, 300нс
		MR856		Силовой диод 600В, 3А, 300нс	КИТАЙ	800	21.08
		R19-20IBRBT2-G			SWITRONIC	1 627	144.65
		R19-20IBRBT2-G				12	9.20
		R19-20IBRBT2-G			SWITR	277	103.97
		К5-В2,КОНТЕЙНЕР ПЛАСТ 2 ПЕРЕГОРОДКИ.,ПРОЗР.,СИНИЙ.,4 ЛОТКА,49Х82Х100ММ
		КТ8108Б					129.60
		КТ8108Б			ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ8108Б			ФРЯЗИНО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"