| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4015BE |
|
Dual 4Bit Stat Reg
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4015BE |
|
Dual 4Bit Stat Reg
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
95
|
53.88
|
|
|
|
CD4015BE |
|
Dual 4Bit Stat Reg
|
|
|
32.00
|
|
|
|
CD4015BE |
|
Dual 4Bit Stat Reg
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
CD4015BE |
|
Dual 4Bit Stat Reg
|
TEXAS
|
358
|
118.11
|
|
|
|
CD4015BE |
|
Dual 4Bit Stat Reg
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4015BE |
|
Dual 4Bit Stat Reg
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
157
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
801
|
37.48
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
RCA
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
|
|
40.00
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS
|
629
|
68.73
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
76
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
|
11
|
51.80
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
240
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
328
|
258.30
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|
|
|
К 561 ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К 561 ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
|
|
|
|