Версия для печати
Технические характеристики S9S08SG8E2MTJ
| Корпус (размер) | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 12x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 512 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 8KB (8K x 8) |
| Число вводов/выводов | 16 |
| Периферия | LVD, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, LIN, SCI, SPI |
| Скорость | 40MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | HCS08 |
| Серия | HCS08 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
