| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PIC® XLP™ mTouch™ 16F |
| Процессор | PIC |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 32MHz |
| Подключения | I²C, LIN, SPI, UART/USART |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 11 |
| Размер программируемой памяти | 14KB (8K x 14) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Размер памяти | 1K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 8x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
|
71 200
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DC COMPONENTS
|
10 682
|
1.49
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
658
|
1.70
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIOTEC
|
19 768
|
3.76
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
6 511
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
HOTTECH
|
73 785
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YJ
|
65 058
|
1.23
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
OLITECH
|
323
|
1.40
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ZH
|
31 200
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
SUNTAN
|
88
|
1.06
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KEEN SIDE
|
22 999
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
RUME
|
117 600
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
823
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
47800
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
47640
|
80
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 844
|
11.56
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
|
1 058
|
24.05
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 370
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L78M05ABDT-TR |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,5A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
545
|
|
|
|
|
|
PIC16F1823-I/SL |
|
|
MICRO CHIP
|
132
|
363.07
|
|
|
|
|
PIC16F1823-I/SL |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F1823-I/SL |
|
|
|
104
|
109.39
|
|
|
|
|
PIC16F1823-I/SL |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F1823-I/SL |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F1823-I/SL |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
584
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TS
|
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
|
|
144.00
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TTI
|
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TAI SHING
|
|
|
|
|
|
TRJ-5VDC-SA-CD-R |
|
Реле 5В/5A, 250VAC
|
TAI SHING (TTI)
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
|
4 750
|
3.70
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
НИИПП ТОМСК
|
40
|
97.00
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
158
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
157
|
|
|
|
|
|
АЛ107Б |
|
Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...
|
57
|
1
|
3.07
|
|