| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STM32 |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 72MHz |
| Подключения | CAN, I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART, USB OTG |
| Периферия | DMA, POR, PWM, Voltage Detect, WDT |
| Число вводов/выводов | 51 |
| Размер программируемой памяти | 128KB (128K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 32K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 16x12b; D/A 2x12b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 64-LQFP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD9851BRSZ |
|
DDS, 180МГц, Uп=3:5В, Pпот.=555мВт, SSOP28, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD9851BRSZ |
|
DDS, 180МГц, Uп=3:5В, Pпот.=555мВт, SSOP28, -40°С:+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD9851BRSZ |
|
DDS, 180МГц, Uп=3:5В, Pпот.=555мВт, SSOP28, -40°С:+85°C
|
|
|
3 280.00
|
|
|
|
|
AD9851BRSZ |
|
DDS, 180МГц, Uп=3:5В, Pпот.=555мВт, SSOP28, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD9851BRSZ |
|
DDS, 180МГц, Uп=3:5В, Pпот.=555мВт, SSOP28, -40°С:+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD9851BRSZ |
|
DDS, 180МГц, Uп=3:5В, Pпот.=555мВт, SSOP28, -40°С:+85°C
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
AD9851BRSZ |
|
DDS, 180МГц, Uп=3:5В, Pпот.=555мВт, SSOP28, -40°С:+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
488
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
|
L78L33ACZTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
712
|
13.43
|
|
|
|
|
L78L33ACZTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ACZTR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 537
|
168.26
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
|
612
|
169.65
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|
|
|
|
STM32F107RBT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107RBT6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM32F107RBT6 |
|
|
|
963
|
518.00
|
|
|
|
|
STM32F107RBT6 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
544
|
|
|