Версия для печати
Технические характеристики STM32F100CBT6B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STM32
Процессор	ARM® Cortex-M3™
Размер ядра	32-Bit
Скорость	24MHz
Подключения	I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART
Периферия	DMA, PDR, POR, PVD, PWM, Temp Sensor, WDT
Число вводов/выводов	37
Размер программируемой памяти	128KB (128K x 8)
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер памяти	8K x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2 V ~ 3.6 V
Преобразователи данных	A/D 10x12b; D/A 2x12b
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	48-LQFP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T			Abracon Corporation
		ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T			ABRACON
		ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T
		ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T			ABRACON
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	2 431
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON	16 910	22.73
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A		7 576	7.89
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	HOTTECH
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TR
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TRR	88	4.13
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	MICRO CHIP	2 400	27.90
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	MICRO CHIP
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	Microchip Technology
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)		5 449	25.01
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	ТАИЛАНД
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	1
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	34
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	BM	90	240.49
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом		34 940	34.65
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	KLS
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	AMTEK
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	RUICHI	7 106	43.15
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	КИТАЙ
		STM32F100C8T6B			ST MICROELECTRONICS	1 281	222.71
		STM32F100C8T6B				678	209.92
		STM32F100C8T6B			STMicroelectronics
		STM32F100C8T6B			МАЛАЙЗИЯ
		STM32F100C8T6B			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STM32F100C8T6B			ST MICROELECTRO
		STM32F100C8T6B			STMICROELECTR
		STM32F100C8T6B			4-7 НЕДЕЛЬ	516

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"