| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL
|
1 444
|
318.00
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
|
480
|
245.47
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
600
|
433.94
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
384
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
1805
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
|
1 780
|
74.00
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
3 165
|
21.20
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ELNEC
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
597
|
11.04
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
132
|
24.99
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
491
|
18.40
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
1 136
|
89.89
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
10 001
|
38.16
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
РАДИОДЕТ
|
152
|
21.24
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
157
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
5643
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
6882
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
|
927
|
34.59
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
БРЯНСК
|
1 586
|
38.16
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
МИНСК
|
297
|
25.44
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
1988
|
|
|
|