| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL
|
1 444
|
315.00
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
|
504
|
256.41
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
800
|
330.62
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
384
|
|
|
|
|
SA04-11EWA |
|
10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд
|
KB
|
|
|
|
|
|
SA04-11EWA |
|
10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд
|
KINGBRIGHT
|
1
|
125.08
|
|
|
|
SA04-11EWA |
|
10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд
|
|
3
|
336.42
|
|
|
|
SA04-11EWA |
|
10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд
|
Kingbright Corp
|
|
|
|
|
|
SA04-11EWA |
|
10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд
|
KGB
|
50
|
90.21
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
1 897
|
11.04
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
912
|
42.36
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
|
10
|
147.42
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
9
|
283.50
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
|
641
|
34.59
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
КРЕМНИЙ
|
670
|
28.35
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
БРЯНСК
|
1 590
|
37.80
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|